Conforme visto no artigo sobre os materiais dos semicondutores, os tipos n e p são formas de dopagem do silício com outros materiais para o efeito de fluxo.
Se um elétron na camada de valência adquire energia cinética suficiente para quebrar sua ligação covalente e preencher o vazio de uma lacuna existente, este mesmo deixará um espaço vazio, ou lacuna, na ligação covalente que liberou o elétron.
Existe, portanto, um deslocamento de lacunas para a esquerda e de elétrons para a direita, como mostrado a ilustração a seguir.
Portadores majoritários e minoritários
Os espaços vazios deixados para trás na estrutura de ligação covalente representam a quantidade bem limitada de lacunas.
Em um material do tipo n, o número de lacunas não se alterou significativamente a partir desse nível intrínseco.
O resultado líquido é, portanto, que o número de elétrons supera o de lacunas.
No material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário e a lacuna de portador minoritário, ou seja, o número de elétrons livre é maior que as lacunas, conforme a ilustração a seguir:
Já o material do tipo p, o número de lacunas é muito maior do que o número de elétrons, ou seja, a lacuna é o portador majoritário e o elétron é o portador minoritário.
Quando o quinto elétron de um átomo doador deixa o átomo de origem, o átomo restante adquire uma carga líquida positiva: daí o sinal positivo na representação do íon doador.
Pelos mesmos motivos, o sinal negativo aparece no íon aceitador.
Os materiais dos tipos n e p representam os blocos de construção básicos dos dispositivos semicondutores.
