Os transistores bipolares de junção são dispositivos semicondutores de três camadas que em duas de um tipo de material e uma única de outro material.
O transistor NPN é um dispositivo com duas camadas do tipo n e uma camada do tipo p. Já o transistor PNP, como a própria nomenclatura diz: duas camadas do tipo p e uma camada do tipo n.
A camada do emissor é fortemente dopada, enquanto as camadas da base e do coletor possuem dopagem leve.
As camadas externas possuem larguras muito maiores do que as camadas internas. A razão entre a largura total e da camada central é de 0,150/0,001, ou seja, 150:1.
A dopagem da camada interna também é consideravelmente menor do que as camadas externas – 1:10 ou menor. O nível de dopagem menor reduz a condutividade, ou melhor, aumenta a resistência do material, e assim limita o número de portadores livres.
Os Terminais
| Símbolo | Referência | |
| E | \rightarrow | Emissor |
| C | \rightarrow | Coletor |
| B | \rightarrow | Base |
A expressão bipolar é devido ao fato de que as lacunas e elétrons participam do processo de injeção no material com polarização oposta.
É considerado unipolar apenas um portador empregado, elétron ou lacuna, de um dispositivo como o diodo Schottky.
