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    Transistores Bipolares de Junção (TBJ): Construção

    Os transistores bipolares de junção são dispositivos semicondutores de três camadas que em duas de um tipo de material e uma única de outro material.

    O transistor NPN é um dispositivo com duas camadas do tipo n e uma camada do tipo p. Já o transistor PNP, como a própria nomenclatura diz: duas camadas do tipo p e uma camada do tipo n.

    A camada do emissor é fortemente dopada, enquanto as camadas da base e do coletor possuem dopagem leve.

    (a) Transistor bipolar de junção PNP. (b) Transistor bipolar de junção NPN.

    As camadas externas possuem larguras muito maiores do que as camadas internas. A razão entre a largura total e da camada central é de 0,150/0,001, ou seja, 150:1.

    A dopagem da camada interna também é consideravelmente menor do que as camadas externas – 1:10 ou menor. O nível de dopagem menor reduz a condutividade, ou melhor, aumenta a resistência do material, e assim limita o número de portadores livres.

    Os Terminais

    SímboloReferência
    E\rightarrowEmissor
    C\rightarrowColetor
    B\rightarrowBase
    Simbologia dos transistores bipolares de junção
    Transistor NPN
    Transistor PNP

    A expressão bipolar é devido ao fato de que as lacunas e elétrons participam do processo de injeção no material com polarização oposta.

    É considerado unipolar apenas um portador empregado, elétron ou lacuna, de um dispositivo como o diodo Schottky.

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