Exatas

Engenharia - Engenharia Elétrica - 4 de outubro de 2022

Transistores Bipolares de Junção (TBJ): Construção

Os transistores bipolares de junção são dispositivos semicondutores de três camadas que em duas de um tipo de material e uma única de outro material.

O transistor NPN é um dispositivo com duas camadas do tipo n e uma camada do tipo p. Já o transistor PNP, como a própria nomenclatura diz: duas camadas do tipo p e uma camada do tipo n.

A camada do emissor é fortemente dopada, enquanto as camadas da base e do coletor possuem dopagem leve.

(a) Transistor bipolar de junção PNP. (b) Transistor bipolar de junção NPN.

As camadas externas possuem larguras muito maiores do que as camadas internas. A razão entre a largura total e da camada central é de 0,150/0,001, ou seja, 150:1.

A dopagem da camada interna também é consideravelmente menor do que as camadas externas – 1:10 ou menor. O nível de dopagem menor reduz a condutividade, ou melhor, aumenta a resistência do material, e assim limita o número de portadores livres.

Os Terminais

SímboloReferência
E\rightarrowEmissor
C\rightarrowColetor
B\rightarrowBase
Simbologia dos transistores bipolares de junção
Transistor NPN
Transistor PNP

A expressão bipolar é devido ao fato de que as lacunas e elétrons participam do processo de injeção no material com polarização oposta.

É considerado unipolar apenas um portador empregado, elétron ou lacuna, de um dispositivo como o diodo Schottky.